日前，材料科学系方晓生课题组在《自然—电子学》（Nature Electronics）发表论文，报道了在二维氧化物光敏高κ电介质集成研究中取得的相关进展。
二维半导体材料具有原子级厚度和独特的理化性质，是构成未来高性能、低功耗微型电子器件的重要候选之一。基于二维半导体材料的微型电子器件的发展，也对栅极介质提出了更高的要求，需要更高的栅极电容以提高器件性能并降低功耗。
该工作研究了二维钙钛矿氧化物光敏高κ电介质与二维材料沟道的集成，讨论了高κ电介质对沟道的栅极控制与光电性能增强的双重作用，揭示出钙钛矿型氧化物在二维光电子学及双波段光探测领域的巨大潜力。今后，通过合理设计，与光敏高κ电介质的集成策略可进一步拓展至其他潜在材料体系，构建多功能异质结构和高性能光电子器件。
